劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员使用新材料，将晶体管的制程从14纳米缩减到了1纳米，相关论文已在《科学》发表。这一研究展示了目前世界上最小的晶体管，推翻了此前认为无法制作出小于5纳米栅极的看法。但是，这仍然只是一种概念证明，距离切实可用的产品还有很长的距离。摩尔定律仍然面临终结的威胁，但未来半导体厂商可以使用类似技术增强芯片的计算力。

过去十年，工程师一直在挑战缩小集成电路元件尺寸的极限。尽管他们知道物理定律为传统半导体的晶体管栅极线宽定了一个5纳米的阈值，大约是现在市面上的高端20纳米栅极晶体管的1/4。现在，这个定律可能要被打破，或至少受到挑战。

使用纳米碳管和MoS2，将晶体管制程缩减到1纳米 

劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）由 Ali Javey 带领的研究团队就正在挑战该物理定律，他们开发了一种新型晶体管，其栅极线宽只有1纳米。作为对比，人类的头发丝宽度大约是50000纳米。

“我们造出了目前为止已知的最小晶体管。”Javey说，他是伯克利实验室材料科学部电子材料项目的主要负责人。“栅极线宽可以定义晶体管的尺寸。我们展示的1纳米栅极晶体管，表明利用适当的材料，在缩小电子元件尺寸上存在更大的空间。”

这项技术的关键是使用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），后者是一种汽车配件店常见的发动机润滑剂。MoS2是一族广泛用于LED管、激光、纳米级晶体管、太阳能电池等的具有很大潜力的材料。　　

二硫化钼通道和1纳米碳纳米管栅极的示意图。图源：Sujay Desai/Berbeley Lab

研究结果发表于10月7日号《科学》杂志。英特尔联合创始人戈登·摩尔（Gordon Moore）曾预测，晶体管的集成电路密度每两年将翻一番（摩尔定律），让笔记本、手机、电视和其他电子产品的性能提高。

这项研究的第一作者 Sujay Desai 表示：“半导体行业一直认为，任何线宽小于5纳米的栅极都无法工作，因此小于5纳米的栅极甚至没有被考虑过。我们的研究证明了，小于5纳米栅极的可能性。用MoS2取代原来的硅材料，我们可以制造出线宽只有1纳米的栅极，并使其起到开关作用。”

让晶体管突破5纳米栅极限制 

晶体管包含三极：源极、漏极和栅极。电流从源极流到漏极，流动过程被栅极控制，栅极会根据施加的电压选择开或者关。

硅和MoS2都有一个晶体晶格结构，但是与MoS2相比，从硅中流过的电子会更加轻盈，遇到的阻碍也相对更少。当栅极在5纳米以上时，这是一个好处。但是，在这个长度之下，就会发生一个量子力学中的现象，叫隧道效应，进而导致电子从源极流向漏极的过程中，栅极电阻不能防止电流的强行通过。　　

晶体管切面的透射电子显微镜图像。图片显示了1纳米的碳纳米管栅极，以及被当做绝缘体的二氧化锆所分隔的二硫化钼半导体。图片来自：Qingxiao Wang，德州大学。

“这意味着我们不能关闭这一晶体管”，Desai说，“电流是失去控制的”。由于通过MoS2的电流更“重”，它们的流动可以通过更短的栅极长度进行控制。MoS2还可以缩减到原子级别的薄片，大约0.65纳米厚。此外，它还拥有更低的介电常数，这一指标反映的是材料储存电场中能源的能力。这两个属性，加上电子质量，有助于在栅极的长度减小到1纳米时，提升对晶体管内电流流动的控制。

一旦他们选定MoS2作为半导体材料，下一步就应该是建造栅极。结果证明，建造1纳米的结构是一个不小的成就。传统的光刻技术在这一比例下不能发挥良好作用，所以研究者转向了碳纳米管，这种空心圆柱管的直径同样小到1纳米。

  来源：电子工程网http://ee.ofweek.com/2016-10/ART-8110-2816-30046506.html